| 型号： | BZV85-C11,133 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | DIODE VREG 11V 1.3W DO-41 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 |
| BZV85-C11,133 PDF |  |
| 标准包装 | 5,000 |
| 系列 | - |
| 电压 - 齐纳（标称）(Vz) | 11V |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1V @ 50mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 200nA @ 7.7V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 阻抗（最大）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-41 |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 其它名称 | 933500660133 |